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JK9610AMOS管測試儀

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一、概述   

       JK9610A型MOS管測試儀,是一種新穎的全數字顯示式功率場效應管參數測試裝置,可用于標稱 電流約在2-85A,功率在300W以內的N溝導和P溝導功率場效應管主要參數的測試。它可以測量擊穿電VDSS、柵極開啟電壓VGS(th)和放大特性參數跨導Gfs,尤其是跨導Gfs的測試電流可以達到50A,由于采 用脈沖電流測試法,即使在大電流測試時也不會對被測器件造成任何損壞,更可以在大電流狀態下對場效 應管進行參數一致性的測試(配對);儀器可用于同等電流等級的IGBT參數的測量;儀器還是一臺性 能十分的電子元器件耐壓測試裝置,其測試耐壓時的漏電流有1mA、250uA、25uA 三擋可以選擇。儀器 主要用于功率場效應管和IGBT的質量檢驗、參數的配對及其它電子元器件的耐壓測試之用。儀器分N溝導型 測試儀和P溝導型測試儀兩種。儀器外型美觀、性能穩定、測量、操作簡單、使用安全方便。

          二、主要技術性能     

        1、擊穿電壓VDSS測量范圍: 0—1999V, 精度:≤2.5% 。     

        2、IDSS可分三擋選擇: 1mA、250uA、25uA 。     

        3、柵極開啟電壓VGS(th) 測量范圍: 0—10V。 精度:≤5% 。     

        4、Gfs跨導測試電流Idm:不小于1—50 A連續可調, 精度:≤10 % 。    

     5、Gfs跨導測試范圍:1—100 。

        三、主要測試功能     

        1、MOS管的擊穿電壓VDSS、柵極開啟電壓VGS(th)、跨導Gfs的測試。     

        2、IGBT的擊穿電壓V(BR)ces、柵極開啟電壓VGE(th)、跨導Gfs的測試。     

        3、MOS管和IGBT在50A以下的任意電流狀態下一致性的測試,可用于配對。     

        4、對其它更大電流和MOS管及IGBT的測試:(見下面介紹)。    

     5、各類晶體三極管、二極管、穩壓管擊穿電壓的測試。     

        6、壓敏電阻電壓的測試等。

       四、測試盒與測試線     

        1、利用測試盒可以方便的測試TO-126、TO-220、TOP-3等類似封裝的功率場效應管和IGBT。    

     2、利用測試線可以測量其它金屬類、模塊類等封裝形式的功率場效應管和IGBT。

 

 

測試實例

型號

 

擊穿電壓

Vdss

開啟電壓

Vgs(th)

跨導S

Gfs

Gfs

測試電流

標稱電流

ID

標稱功率

PD

封裝

IRF640

基本參數

200V

2-4V

≥6.8

11A

18A

150W

TO-220

 

實測參數

225V

3.0V

12

11A

 

 

 

 

IRF1010

基本參數

60V

2-4V

≥69

50A

84A

200W

TO-220

 

實測參數

66V

3.2V

67

50A

 

 

 

 

IRF3205

基本參數

55V

2-4V

≥44

62A

110A

200W

TO-220

 

實測參數

60V

2.9V

68

60A

 

 

 

 

FQP70N08

基本參數

80V

2-4V

41

35A

70A

155W

TO-220

 

實測參數

86V

3.2V

46

35A

 

 

 

 

75NF75

基本參數

75V

2-4V

20

40A

80A

300W

TO-220

 

實測參數

81V

3.6V

52

40A

 

 

 

 

IRFP064

基本參數

55V

2-4V

≥42

59A

110A

200W

TO-3P

 

實測參數

67V

2.5V

57

60A

 

 

 

 

2SK1120

基本參數

1000V

2.5-5V

4

4A

8A

150W

TO-3P

 

實測參數

1086V

2.3V

5

4A

 

 

 

 

G160N60

基本參數

600V

3.5-6.5V

*

80A

160A

250W

TO-247

 

實測參數

626V

3.9V

35

60A

 

 

 

 

H40T120

基本參數

1200V

5-6.5V

21

40A

75A

270W

TO-247

 

實測參數

1390V

5.7V

20

40A

 

 

 

60N170D

基本參數

1700V

3.5-7.5V

 

 

60A

200W

TO-247

 

實測參數

1798V

4.8V

30

60A

 

 

 

 

JK9610AJK9610A場效應管測試儀(MOS管測試儀)

詳細說明
主要技術性能     
        1、擊穿電壓VDSS測量范圍: 0—1999V, 精度:≤2.5% 。     
        2、IDSS可分三擋選擇: 1mA、250uA、25uA 。     
        3、柵極開啟電壓VGS(th) 測量范圍: 0—10V。 精度:≤5% 。     
        4、Gfs跨導測試電流Idm:不小于1—50 A連續可調, 精度:≤10 % 。    
     5、Gfs跨導測試范圍:1—100 。
        三、主要測試功能     
        1、功率場效應管的擊穿電壓VDSS、柵極開啟電壓VGS(th)、跨導Gfs的測試。     
        2、IGBT的擊穿電壓V(BR)ces、柵極開啟電壓VGE(th)、跨導Gfs的測試。     
        3、功率場效應管和IGBT在50A以下的任意電流狀態下一致性的測試,可用于配對。     
        4、對其它更大電流和功率的場效應管及IGBT的測試:(見下面介紹)。    
     5、各類晶體三極管、二極管、穩壓管擊穿電壓的測試。     
        6、壓敏電阻電壓的測試等。
       四、測試盒與測試線     
        1、利用測試盒可以方便的測試TO-126、TO-220、TOP-3等類似封裝的功率場效應管和IGBT。    
     2、利用測試線可以測量其它金屬類、模塊類等封裝形式的功率場效應管和IGBT。
 
 
測試實例
型號
 
擊穿電壓
Vdss
開啟電壓
Vgs(th)
跨導S
Gfs
Gfs
測試電流
標稱電流
ID
標稱功率
PD
封裝
IRF640
基本參數
200V
2-4V
≥6.8
11A
18A
150W
TO-220
 
實測參數
225V
3.0V
12
11A
 
 
 
IRF1010
基本參數
60V
2-4V
≥69
50A
84A
200W
TO-220
 
實測參數
66V
3.2V
67
50A
 
 
 
IRF3205
基本參數
55V
2-4V
≥44
62A
110A
200W
TO-220
 
實測參數
60V
2.9V
68
60A
 
 
 
FQP70N08
基本參數
80V
2-4V
41
35A
70A
155W
TO-220
 
實測參數
86V
3.2V
46
35A
 
 
 
75NF75
基本參數
75V
2-4V
20
40A
80A
300W
TO-220
 
實測參數
81V
3.6V
52
40A
 
 
 
IRFP064
基本參數
55V
2-4V
≥42
59A
110A
200W
TO-3P
 
實測參數
67V
2.5V
57
60A
 
 
 
2SK1120
基本參數
1000V
2.5-5V
4
4A
8A
150W
TO-3P
 
實測參數
1086V
2.3V
5
4A
 
 
 
G160N60
基本參數
600V
3.5-6.5V
*
80A
160A
250W
TO-247
 
實測參數
626V
3.9V
35
60A
 
 
 
H40T120
基本參數
1200V
5-6.5V
21
40A
75A
270W
TO-247
 
實測參數
1390V
5.7V
20
40A
 
 
 
60N170D
基本參數
1700V
3.5-7.5V
 
 
60A
200W
TO-247
 
實測參數
1798V
4.8V
30
60A
 

 

                           JK9610AMOS管測試盒

該公司產品分類: PM-83(三頭)等離子表面處理機 PM-82(雙頭)等離子表面處理機 GM-2000等離子表面處理機 PM-V8等離子表面處理機 等離子處理機 LCR數字電橋 晶體管測試儀 MOS管測試儀 元器件測試儀器 RC系列帶電繞組溫升測試儀 JK-X系列多路溫度測試儀(多路溫度巡檢儀) 溫度儀器儀表 KZA-III 系列叉車充電機 KZA系列智能充電機 TXR1010系列X射線高壓電源 SVC系列單相高精度全自動交流穩壓器 JSW系列三相精密凈化交流穩壓電源 JJW系列單相精密凈化交流穩壓器 YFT系列風光互補逆變電源 YFN系列正弦波逆變器(逆變電源)

QT2,晶體管圖示儀,二極管測試儀,MOS管測試儀,IGBT測試儀

QT2晶體管圖示儀 及二手儀器銷售維修

說明書下載

電路圖紙下載

  • QT2型晶體管特性圖示儀可根據需要測量半導體二極管、三極管的低頻直流參數。
  • 最大集電極電流可達50A,基本滿足500W以下的半導體管的測試。
  • 具備高壓測試能力,可對3KV(5KV)\\以下的半導體管進行擊穿電壓及反向漏電流測試,其測試電流靈敏度可達到0.5uA/度。
  • 基極階梯信號具有脈沖階梯輸出,可測量二次擊穿特性。

集電極掃描信號 (輸出電壓范圍/電流容量)三極管和二極管 0~10V / 50A (脈沖階梯) 20A(平均值) 0~50V / 10A (平均值) 0~100V / 5A (平均值) 0~500V / 0.5A (平均值)二極管高壓測試 0~5KV(3KV) / 5mA (最大)

基極階梯信號

  • 階梯電流:1uA~200mA/級,分17檔
  • 階梯電壓:0.05~1V/級,分5檔
  • 階梯波形:正常(100%),脈沖(10~40%)

Y軸偏轉系數

  • 集電極電流:1uA~5A/度,分21檔
  • 二極管電流:1~500uA/div,分9檔
  • 集電極及二極管電流倍率:×0.5

X軸偏轉系數

  • 集電極電壓:10mV~50V/度,分12檔
  • 二極管電流:100~500V/度,分3檔
  • 基電極電壓:10mV~1V/度,分7檔

一般性能

  • 顯示面10×10div(1div=0.8cm)
  • 視在功率 約80VA
  • 約300VA(最大功率)
  • 外形尺寸 30×40×52cm
  • 重量 30kg

反向擊穿電壓測試

  • VCBO 集電極 - 基極 (發射極開路)
  • VEBO 發射極 - 基極 (集電極開路)
  • VCEO 集電極 - 發射極 (基極開路)
  • VCER 集電極 - 發射極 (基極與發射極間電阻連接)
  • VCES 集電極 - 發射極 (基極與發射極短路)

各種特性曲線

  • VCE - IC 共發射極 (基極信號為變量)
  • IB - IC 共發射極
  • VBE - IB 共發射極
  • VBE - IO 共發射極

該公司產品分類: 微波信號源 IQ調制信號源 網絡分析儀 動態信號分析儀 射頻信號發生器 視頻分析儀 音頻分析儀 探頭 電纜 測試線 電視信號發生器 音頻信號發生器 噪聲發生器 任意波發生器 函數信號源 脈沖信號源 RF信號源 高頻信號源 低頻信號源 信號發生器 手持示波表 二手數字示波器

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