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光學(xué)平臺產(chǎn)品及廠家

美國TED 高分辨離子濺射儀
208hr高分辨離子濺射儀-適用于場發(fā)射掃描電鏡，可選擇多種鍍膜材料，精確的膜厚控制，樣品臺控制靈活，多個樣品座，樣品室?guī)缀慰勺儯瑢挿秶牟僮鲏毫Γo湊、現(xiàn)代的桌上型設(shè)計，操作容易。
更新時間:2025-04-17
全自動上側(cè)或后側(cè)光刻機
oai 6000 fsa 全自動上側(cè)或后側(cè)光刻機,具有完全自動化的亞微米分辨率的頂側(cè)或背側(cè)對齊，提供無與倫比的性價比。
更新時間:2025-04-17
德國KSI 四探頭超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)
ksi v-quattro四探頭超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)，四探頭系統(tǒng)，同時使用4只換能器
更新時間:2025-04-17
德國 KSI 八探頭大型超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)
ksi v-octo 八探頭大型超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)，該系統(tǒng)同時使用8只換能器，能最大限度的確保快速圖像采集和高效能。
更新時間:2025-04-17
KSI 單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡
ksi v1000e 單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡，用于研發(fā)和生產(chǎn)部門檢測特大件樣品
更新時間:2025-04-17
德國KSI 單探頭超聲波掃描顯微鏡
ksi v700e 單探頭超聲波掃描顯微鏡，用于檢測大件樣品
更新時間:2025-04-17
德國 KSI 單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡
ksi v400e 單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡，是實驗室、研發(fā)和工業(yè)生產(chǎn)線主流機型。
更新時間:2025-04-17
德國 KSI 單探頭超聲波掃描顯微鏡
ksi v300e 單探頭超聲波掃描顯微鏡，掃描機械機構(gòu)
更新時間:2025-04-17
德國Sentech光伏測量儀
德國sentech光伏測量儀mdpmap，靈活的自動掃描系統(tǒng)，是專為半導(dǎo)體晶片或部分工藝過的晶片的多功能、非接觸和少子壽命測量而設(shè)計的。mdpmap能夠連續(xù)地改變激發(fā)脈沖寬度，從非常短的脈沖(100ns)到穩(wěn)態(tài)測量(幾ms)，研究不同深度的缺陷動力學(xué)和少子壽命特性。直觀的繪圖軟件適用于有效的常規(guī)測量以及復(fù)雜的研發(fā)應(yīng)用。
更新時間:2025-04-17
接觸角測量儀
100s接觸角測量儀是采用光學(xué)成像的原理，通過圖像輪廓分析方式測量樣品表面接觸角、潤濕性能、表界面張力、表面能等性能，設(shè)備性價比高、功能全面、可滿足各種常規(guī)測量需要。
更新時間:2025-04-17
德國KRUSS標(biāo)準(zhǔn)型DSA25接觸角測量儀
德國kruss標(biāo)準(zhǔn)型dsa25接觸角測量儀，接觸角測量范圍：0-180，接觸角測量精度：±0.10，表界面張力測量范圍：0-1000mn/m；測量精度：0.01 mn/m
更新時間:2025-04-17
紫外單面光刻機
ure-2000 系列紫外單面光刻機此系列包含六種型號：ure-2000a,ure-2000b,ure-2000/35,ure-2000/35a,ure-2000/25,ure-2000/17
更新時間:2025-04-17
紫外雙面光刻機
ure-2000s 系列雙面光刻機，對準(zhǔn)精度：±2 mm（雙面,片厚 0.8mm），±0.8mm（單面）
更新時間:2025-04-17
URE-2000B 型紫外單面光刻機
ure-2000b 型紫外單面光刻機，曝光面積：100mmx100mm，分辨力：0.8μm（膠厚 2μm 的正膠）
更新時間:2025-04-17
URE-2000/600 紫外單面光刻機
ure-2000/600 紫外單面光刻機，光束口徑： 650mm×650mm，對準(zhǔn)精度： ±1.5μm
更新時間:2025-04-17
無掩膜單面光刻機
ds-2000/14k 無掩膜單面光刻機，采用 dmd 作為數(shù)字掩模，像素數(shù) 1024×768，采用 14 倍縮小投影光刻物鏡成像。
更新時間:2025-04-17
型無掩模單面光刻機
ds-2000/14g 型無掩模單面光刻機,采用 dmd 作為數(shù)字掩模，像素數(shù) 1024×768 或 1920×1080 或 25601600 三種選配,采用縮小投影光刻物鏡成像，分辨力 1um。
更新時間:2025-04-17
紫外單面光刻機
ure-2000/35a 型紫外單面光刻機,,非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，全自動）和高校教學(xué)科研（可靠性好，演示方便）采用自動找平，具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能，自動分離對準(zhǔn)間隙和消除曝光間隙，采用 350w 進口（德國）直流汞燈，可調(diào)節(jié)光的能量密度。設(shè)備外形美觀精制，性能非常可靠，自動化程度很高，操作十分方便。
更新時間:2025-04-17
紫外單面光刻機
ure-2000/35 型紫外單面光刻機,非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，自動化程度高）和高校教學(xué)科研（可靠性好，演示方便）采用自動找平，具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能，自動分離對準(zhǔn)間隙和消除曝光間隙，采用 350w 進口（德國）直流汞燈，可調(diào)節(jié)光的能量密度。設(shè)備外形美觀精制，性能非常可靠，自動化程度很高，操作十分方便。
更新時間:2025-04-17
紫外單面光刻機
ure-2000/35l 型紫外單面光刻機,曝光面積：100mm×100mm；分辨力：1.0 μm（膠厚 2.0 μm 的正膠，365nm 波長）
更新時間:2025-04-17
英國Nanobean 電子束光刻機
英國nanobean nb5 電子束光刻機,具有良好的穩(wěn)定性，平均正常運行時間超過93%.
更新時間:2025-04-17
美國Trion 具有預(yù)真空室的反應(yīng)離子刻蝕機
minilock-phantom iii 具有預(yù)真空室的反應(yīng)離子刻蝕機。適用于單個基片或帶承片盤的基片(3” - 300mm尺寸)，為實驗室和試制線生產(chǎn)環(huán)境提供最先進的刻蝕能力。它也具有多尺寸批量處理(4x3”; 3x4”; 7x2”)。系統(tǒng)有多達七種工藝氣體可以用于刻蝕各種薄膜，如氧化硅、氮化硅、多晶硅、鋁、砷化鎵、鉻、銅、磷化銦和鈦。
更新時間:2025-04-17
美國Trion反應(yīng)離子刻蝕與沉積系統(tǒng)
oracle iii由中央真空傳輸系統(tǒng)(cvt)、真空盒升降機和最多四個工藝反應(yīng)室構(gòu)成。這些工藝反應(yīng)室與中央負(fù)載鎖對接，既能夠以生產(chǎn)模式運行，也能夠作為單個系統(tǒng)獨立作業(yè)。 oracle iii是市場上最靈活的系統(tǒng)，既可以為實驗室環(huán)境進行配置(使用單基片裝卸)，也可以為批量生產(chǎn)進行配置(使用真空盒升降機進行基片傳送)。
更新時間:2025-04-17
美國Trion 離子刻蝕與沉積系統(tǒng)
titan是一套用于半導(dǎo)體生產(chǎn)的十分緊湊、全自動化、帶預(yù)真空室的等離子系統(tǒng)。titan具有反應(yīng)離子刻蝕(rie)配置、高密度電感耦合等離子沉積(hdicp)或等離子增強型化學(xué)汽相沉積(pecvd)配置。可對單個基片或帶承片盤的基片(3”-300mm)進行處理。它還具有多尺寸批量處理功能。價格適宜且占地面積小。
更新時間:2025-04-17
美國Trion 薄膜沉積系統(tǒng)
美國trion orion iii pecvd 薄膜沉積系統(tǒng)可以在緊湊的平臺上生產(chǎn)高品質(zhì)的薄膜。獨特的反應(yīng)器設(shè)計可以在在極低的功率生產(chǎn)具有優(yōu)異臺階覆蓋的低應(yīng)力薄膜。該系統(tǒng)可以滿足實驗室和中試生產(chǎn)環(huán)境中的所有安全，設(shè)施和工藝標(biāo)準(zhǔn)要求。
更新時間:2025-04-17
美國Trion 高密度化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
orion hdcvd 高密度氣相化學(xué)沉積系統(tǒng)采用高密度的化學(xué)氣相沉積技術(shù)，在惰性氣體進入口安裝感應(yīng)線圈，周圍布置陶瓷管。射頻創(chuàng)建等離子體,通過氣體環(huán)在襯底表面附近引入揮發(fā)性氣體。當(dāng)惰性氣體與揮發(fā)性物質(zhì)結(jié)合時，會發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，然后在襯底表面沉積一層薄膜.
更新時間:2025-04-17
德Zeiss 電子束直寫儀
德zeiss sigma sem 電子束直寫儀,利用曝光抗蝕劑，采用電子束直接曝光，可在各種襯底材料表面直寫各種圖形，圖形結(jié)構(gòu)（小線寬為10mm），是研究材料在低維度、小尺寸下量子行為的重要工具。廣泛應(yīng)用于納米器件，光子晶體，低維半導(dǎo)體等沿域。
更新時間:2025-04-17
俄羅斯 Optosystem 準(zhǔn)分子激光器
俄羅斯 optosystem 準(zhǔn)分子激光器：cl7000, 準(zhǔn)分子激光器是傳統(tǒng)的氣體激光器，由于波長短（紫外），短脈沖寬度，高脈沖能量，是激光器家族不可替代的品種！應(yīng)用上，準(zhǔn)分子激光器在脈沖沉積鍍膜（pld），光纖光柵刻寫，lasik，光刻，微納加工等方面占主導(dǎo)的地位。
更新時間:2025-04-17
英國 DENTON 磁控濺射及電子束蒸發(fā)薄膜沉積平臺
denton 磁控濺射及電子束蒸發(fā)薄膜沉積平臺,提供了薄膜工業(yè)中廣泛的配置和沉積模式:電子束蒸發(fā)、電阻蒸發(fā)、濺射、離子鍍和離子輔助沉積。
更新時間:2025-04-17
英國 Denton 熱蒸發(fā)濺射儀
denton 熱蒸發(fā)濺射儀dv-502b，在大氣和高真空之間快速循環(huán)。
更新時間:2025-04-17
法Plassys超高真空多腔體電子束鍍膜機
法plassys超高真空多腔體電子束鍍膜機meb550sl3，可以用于沉積ti, ni, au, cr, al, al2o3等金屬及氧化物薄膜，目全球主要超導(dǎo)量子實驗室均使用該設(shè)備制備超導(dǎo)al結(jié)（量子比特和約瑟夫森結(jié)）和量子器件，可以制備大面積、高度穩(wěn)定性和可重復(fù)性超導(dǎo)結(jié)。
更新時間:2025-04-17
臺式三維原子沉積系統(tǒng)ALD
美arradiance 臺式三維原子沉積系統(tǒng)ald，在小巧的機身（78 x56 x28 cm）中集成了原子層沉積所需的所有功能，可最多容納9片8英寸基片同時沉積。gemstar xt全系配備熱壁，結(jié)合前驅(qū)體瓶加熱，管路加熱，橫向噴頭等設(shè)計，使溫度均勻性高達99.9%，氣流對溫度影響減少到0.03%以下。
更新時間:2025-04-17
德國 Sentech 等離子體增強--原子層沉積系統(tǒng)
德國 sentech pe-ald 等離子體增強--原子層沉積系統(tǒng)，是在3d結(jié)構(gòu)上逐層沉積超薄薄膜的工藝方法。薄膜厚度和特性的精確控制通過在工藝循環(huán)過程中在真空腔室分步加入置物實現(xiàn)。等離子增強原子層沉積（peald）是用等離子化的氣態(tài)原子替代水作為氧化物來增強ald性能的先進方法。
更新時間:2025-04-17
德國 Sentech 等離子沉積機
德國 sentech si 500 d 等離子沉積機，具有特殊的等離子體特性，如高密度、低離子能量和介質(zhì)膜的低壓沉積。
更新時間:2025-04-17
德國 Sentech 等離子沉積機
德國sentech pecvd si 500 ppd等離子沉積機,。它是基于平面電容耦合等離子體源，真空加載鎖定，控溫基片電，可選配低頻混頻，全控?zé)o油真空系統(tǒng)采用先進的森泰克控制軟件，采用遠(yuǎn)程現(xiàn)場總線技術(shù)，具有非常友好的通用用戶界面用于操作si 500 ppd的用戶界面。
更新時間:2025-04-17
德國 Sentech 等離子沉積機
pecvd depolab 200 等離子體沉積機,將平行板等離子體源設(shè)計與直接負(fù)載相結(jié)合,可以升為更大的抽油機、低頻電源和額外的燃?xì)夤艿馈?/div> 更新時間:2025-04-17
德國 Sentech 等離子刻蝕機
sentech etchlab200 經(jīng)濟型反應(yīng)離子刻蝕機(可升級)，包括抽速更大的真空單元、預(yù)真空室及附加氣路等。
更新時間:2025-04-17
德國 Sentech 等離子刻蝕機
etchlab 200 rie等離子體蝕刻機是一種將rie平行板電設(shè)計的優(yōu)點與直接負(fù)載的低成本設(shè)計相結(jié)合的直接負(fù)載等離子體蝕刻機系列。etchlab 200具有簡單快速的樣品加載功能，從零件到200a‰mm或300a‰mm直徑的晶圓片直接加載到電或載體上。
更新時間:2025-04-17
德國 Sentech 反應(yīng)離子刻蝕機
entech rie si591 平板電容式反應(yīng)離子刻蝕機，兼容多種氯基或氟基刻蝕工藝；小型化和高度模塊化；sentech控制軟件
更新時間:2025-04-17
德國 Sentech 等離子刻蝕機
德國sentech icp-rie si 500 等離子刻蝕機，代表了電感耦合等離子體(icp)加工在研究和生產(chǎn)上的先優(yōu)勢。它以ptsa等離子體源、動態(tài)控溫基片電、全控真空系統(tǒng)、先進的sentech 控制軟件為基礎(chǔ)，采用遠(yuǎn)程現(xiàn)場總線技術(shù)，為操作si 500提供了非常人性化的通用用戶界面。靈活性和模塊化是si 500的設(shè)計特點。
更新時間:2025-04-17
德國 Sentech 等離子體 ICP 干法刻蝕機
sentech si 500 電感耦合等離子體icp干法刻蝕系統(tǒng)，感應(yīng)耦合等離子刻蝕機臺，低損傷納米結(jié)構(gòu)刻蝕，高速率刻蝕，內(nèi)置icp等離子源，動態(tài)溫控。
更新時間:2025-04-17
紫外單面光刻機
ure-2000系列紫外單面光刻機，主要型號有：ure-2000a，ure-2000b，ure-20000/35,ure-20000/35a，ure-2000/25,ure-2000/17.由中國科學(xué)院制造生產(chǎn)。
更新時間:2025-04-17
紫外單面光刻機
ure-2000/a8 紫外單面光刻機，中科院設(shè)計生產(chǎn)。曝光面積： 200mm×200mm
更新時間:2025-04-17
紫外單面光刻機
ure-2000a 型紫外單面光刻機，中科院設(shè)計生產(chǎn)，曝光面積：150mmx150mm
更新時間:2025-04-17
紫外單面光刻機
ure-2000b 型紫外單面光刻機，中科院設(shè)計生產(chǎn)，曝光面積：100mmx100mm
更新時間:2025-04-17
紫外單面光刻機
ure-2000/35 型紫外單面光刻機，中科院設(shè)計生產(chǎn)，曝光面積：4 英寸 ，非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，自動化程度高）和高校教學(xué)科研 （可靠性好，演示方便） 。
更新時間:2025-04-17
芬蘭 PICOSUN 原子層沉積機
芬蘭 picosun r-200標(biāo)準(zhǔn)型ald,為液體、氣體和固體化學(xué)物提供的更高級的，易更換的前驅(qū)源系統(tǒng)，能夠在晶圓、3d樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度最小的薄膜層。 在最基本的picosun™ r系列配置中可以選擇多個獨立的，完全分離的源入口匹配多種類型的前驅(qū)源。
更新時間:2025-04-17
PICOSUN 生產(chǎn)型原子層沉積機
德國 picosun p-1000 pro ald 生產(chǎn)型原子層沉積機,156 mm x 156 mm硅片800～1000片/批次（雙面/背對背）,高達400 mm x 600 mm玻璃基板30～50片/批次（雙面/背對背）,(w x h x d) 230 cm x 270 cm x 125 cm,標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備驗收標(biāo)準(zhǔn)為 al2o3 工藝.
更新時間:2025-04-17
高級型原子層沉積機
picosun p-300 advanced ald 高級型原子層沉積機.156 mm x 156 mm硅片50～100片/批次（雙面/背對背），高達300 mm x 300 mm玻璃基板10～20片/批次（雙面/背對背）；roll-to-roll, 襯底最大寬 300 mm。全自動轉(zhuǎn)載，用工業(yè)機器人實現(xiàn),標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備驗收標(biāo)準(zhǔn)為 al2o3 工藝 .
更新時間:2025-04-17
高級原子沉積機
picosun p-300b advanced ald 高級原子沉積機,基片尺寸和類型 300mm晶圓10片/批次（標(biāo)準(zhǔn)間距）,200mm晶圓25+2片/批次（標(biāo)準(zhǔn)間距）,(w x h x d) 149 cm x 191 cm x 111 cm,標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備驗收標(biāo)準(zhǔn)為 al2o3 工藝.
更新時間:2025-04-17

最新產(chǎn)品

熱門儀器： 液相色譜儀 氣相色譜儀 原子熒光光譜儀 可見分光光度計 液質(zhì)聯(lián)用儀 壓力試驗機 酸度計（PH計） 離心機 高速離心機 冷凍離心機 生物顯微鏡 金相顯微鏡 標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì) 生物試劑
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